同志，我问一个我琢磨了很久的问题。”
“CMOS工艺我们部里的几个院所也研究过，但大家普遍碰到的瓶颈是开关速度上不去，PMOS的空穴迁移率比NMOS的电子迁移率低将近三倍，这导致CMOS的传输延迟比NMOS大很多。”
“你们是怎么突破这个问题的？”
话音还没落下，另一位专家孙教授也跟着补了一句：
“还有一个闩锁效应的问题，CMOS在较高的电压或快速跳变的时候容易触发寄生SCR结构，导致芯片烧毁或功能异常，这个可靠性隐患你们是怎么解决的？”
听到这两个问题，钱学明没有紧张，他早有准备，不急不缓地回道：
“吴老师问得非常专业，这两个问题确实是CMOS路线上最大的两座山，也是业界公认的CMOS路线的难点。”
“关于开关速度，我们做了三个层面的优化。”
“第一，在版图设计上采用自举电路结构，把某些节点的电压在瞬间抬到超过电源电压，以此来增强驱动能力，补偿PMOS的迁移率短板。”
“实测我们的曙光一号内部关键路径的传输延迟做到了三点八纳秒，比常规CMOS设计缩短了将近百分之四十。”
钱学明顿了顿，继续道：“第二，我们优化了栅极材料的掺杂浓度和退火条件。”
“我们通过控制多晶硅栅的掺杂浓度在每立方厘米十的二十次方量级，然后搭配快速热退火工艺，把栅极电阻降低了约百分之三十，这进一步压缩了RC延迟。”
“第三，我们在工艺上采用了阱隔离技术，把P阱和N阱的掺杂曲线做陡，减小了寄生电容和漏电流。”
“综合起来，曙光一号的主频可以达到四十兆赫兹，而功耗只有同频率NMOS芯片的八分之一。”
吴专家听得眼睛越睁越大，整个人肉眼可见的激动起来。
钱学明没有停，继续回答第二个问题：
“关于闩锁效应，我们的策略是在版图层面就把触发概率降到最低。”
“阱接触点密度比常规设计提高了两倍，同时把N阱和P阱之间的距离做到工艺允许的最小值以上，确保寄生SCR结构的触发阈值高于实际工作电压。”
“另外我们在关键的电源线路上增加了钳位保护结构，把浪涌电压泄放通道的响应时间压缩到
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