CMOS不行？“
“不，你想错了，我的想法跟你一样。“
林默毫不犹豫的开口说道，语气更为肯定：
“CMOS才是未来的主流，双极型功耗高，集成度低，天花板太明显了，而CMOS的潜力远没有被挖掘出来。“
听着自己的路线被赞成，钱学明的眼睛亮了起来。
“不过您刚才说的那些问题，如果解决不了，CMOS就只能停留在实验室里，永远无法真正走向量产。”
“是啊。”钱学明叹了口气，无奈的摇摇头。
“我准备去国外学习一下，听说M国有一些实验室里，已经可以解决一部分问题。”
林默脸上露出笑容，补充一句：“但是这些问题，在我这里其实是有解的。“
“什么？”
“林厂长，您的意思是？”
钱学明的身体猛地前倾，瞪大眼睛：
“怎么解？“
林默伸手拿过桌面上空白的草稿纸，然后从胸前的口袋里抽出一支钢笔，在纸上画了一个简单的剖面示意图。
几笔勾出了一个CMOS反相器的基本结构。
P阱，N阱，每一个区域都标注得清清楚楚。
然后在P阱和N阱的边缘画了几道短横线，标注了衬底接触和重掺杂。
“栓锁效应。“
林默的笔尖点着剖面图，语气平静，“本质上是寄生可控硅的触发，要抑制它，核心思路是降低寄生PNP和NPN管的增益。“
一边说，林默抬起头看了钱学明一眼，见他正目不转睛地盯着图纸，便继续：“具体来说，认为这个问题的解决有两个方向。”
第一，是在现有的基础上，优化阱和衬底的接触设计。”
“简单一点来说，就是在P阱和N阱的每一条边界上，都密集地布置衬底接触点，确保任何位置的载流子浓度都低于触发阈值。”
“第二，使用重掺杂衬底。”
“衬底掺杂浓度越高，寄生管的基区宽度就越窄，增益就越低，栓锁效应的触发阈值就越高。“
林默又在纸上又画了几条线：“如果能做到这两个方向，栓锁效应的触发电流阈值至少能提高一个数量级。”
“从目前的一两毫安，提高到几十毫安甚至上百毫安，对于正常的工作环境来说，这个裕量足够了。“
钱学明的眼中露出思索的神色。
“至于速度问题
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